大陆自主晶圆厂投产进度、关键半导体设备国产化率分析
出处:时间:2019-11-13 21:00

2019年Q2起大陆自主晶圆厂进入投产高峰,未来三年半导体设备需求迎来爆发式增长。根据2017年至今大陆自主晶圆厂开工以及投产情况统计,测算未来19-22年半导体设备总投资在700美元左右,同比2018年120亿美元有很大增长空间,且大陆自主晶圆厂国产化率友好度远高于2018年海外复制线,晶圆厂本身扩产有降本的采购需求,有利于国产化率的提升,2018年国产化率不到5%,提升空间巨大。

根据公开招标数据显示,长江存储历次规模化招标时点基本与新产品(32层/64层 NAND)研发节奏同步,并于2019年9月份开启第三轮招标,预计为2021年10万片/月产能做准备。根据前两轮关键层设备招标情况分析,中微公司28nm以下Dielectric刻蚀已进入量产阶段,并率先通过14nm部分工艺验证;北方华创硅刻蚀设备19年3月首次批量进入长存供应链,等离子刻蚀设备于10月实现重复中标。PVD领域北方华创在Hard Mask及Al-Pad环节已有订单突破,未来CuBS核心工艺验证通过将成为新的业绩增长点。同时北方华创在氧化扩散工艺第二轮中标40台,占据主要市场份额。

投资策略:二期大基金启动设备环节重点受益,建议关注北方华创(002371.SZ),中微公司(688012.SH)
风险提示:半导体行业景气度下行;半导体设备技术更新;半导体制造厂资本开支不及预期;中美贸易摩擦加剧

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